用于晶体管装置的源极/漏极导体

摘要

一种晶体管装置，所述晶体管装置包括：由半导体沟道连接的源极导体和漏极导体，所述半导体沟道由形成在所述源极导体和漏极导体之上的半导体材料层来提供；以及经由栅极电介质电容性耦合到所述半导体沟道的栅极导体；其中所述源极导体和漏极导体中的至少一个包括在其至少一个区域中的多层结构，所述多层结构包括下层和上层，所述下层的材料在将电荷注入到所述半导体材料中方面优于所述上层的材料；并且所述上层的材料展现出比所述下层的材料更好的导电性。

主权项

一种晶体管装置，所述晶体管装置包括：由半导体沟道连接的源极导体和漏极导体，所述半导体沟道由形成在所述源极导体和漏极导体之上的半导体材料层来提供；以及经由栅极电介质电容性耦合到所述半导体沟道的棚极导体；其中所述源极导体和漏极导体中的至少一个包括在其至少一个区域中的多层结构，所述多层结构包括下层和上层，所述下层的材料在将电荷注入到所述半导体材料中方面优于所述上层的材料；并且所述上层的材料展现出比所述下层的材料更好的导电性。