发明名称 3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Operating The Same
摘要 3차원 반도체 장치 및 그 동작 방법이 제공된다. 이 장치는 기판 상에 2차원적으로 배열된 활성 패턴들, 활성 패턴들 사이에서 3차원적으로 배열된 전극들 및 활성 패턴들 및 전극들에 의해 정의되는 교차점들에 위치하는 3차원적으로 배열된 메모리 영역들을 포함할 수 있다. 활성 패턴들 각각은, 기판으로부터 동일한 높이에 형성되는, 두 개의 독립적인 메모리 영역들로의 전기적 연결들을 위한 전류 경로로서 사용될 수 있다.
申请公布号 KR101652873(B1) 申请公布日期 2016.08.31
申请号 KR20100014751 申请日期 2010.02.18
申请人 삼성전자주식회사 发明人 손용훈;이명범;황기현;백승재
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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