| 摘要 |
반도체 소자 제조 방법이 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자 제조 방법에 따르면, 준비된 기판 상에 제1마스크층을 형성하고, 제1마스크층 상에 제1마스크층보다 에칭율이 낮은 제2마스크층을 형성한다. 제1 및 제2마스크층을 패터닝하여 제1 및 제2마스크층이 제거된 개구 영역이 존재하는 패턴 구조를 형성한다. 그리고 에칭 공정을 통해 제1마스크층을 오버에칭시켜, 제2마스크층이 제1마스크층보다 큰 폭을 가지는 오버행 구조로 형성하여, 제2마스크층과 기판 사이에 빈 공간이 생기도록 한다. 그런 다음, 개구 영역에 하부 버퍼층을 형성하고, 이 하부 버퍼층 상에 하부 버퍼층 및 제2마스크층을 덮도록 상부 버퍼층을 형성한다. 상부 버퍼층 상에 반도체 소자의 주요층 구조를 형성한 다음, 화학적 에칭을 이용하여 기판을 제거한다. |
