| 发明名称 |
メモリセル、不揮発性半導体記憶装置、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
| 摘要 |
【課題】小型化を図りつつ、ディスターブの発生を抑制し得るメモリセル、不揮発性半導体記憶装置、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提案する。【解決手段】本発明によるメモリセルMCでは、フィン部S2内の不純物濃度を高くして、フィン部S2の表面でドレイン領域12aおよびソース領域12bを近接させて小型化を図っても、フィン部S2の形状を選定することでメモリゲート電極DGとフィン部S2との間の電位差を小さくしてディスターブの発生を抑制し得る。かくして、本発明のメモリセルMCは、小型化を図りつつ、ディスターブの発生を抑制し得る。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP5982055(B1) |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
| 申请号 |
JP20150247812 |
申请日期 |
2015.12.18 |
| 申请人 |
株式会社フローディア |
发明人 |
岡田 大介;柳沢 一正;大和田 福夫;吉田 省史;川嶋 泰彦;吉田 信司;谷口 泰弘;奥山 幸祐 |
| 分类号 |
H01L21/336;G11C16/02;G11C16/04;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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