一种半导体Cu₂ZnTiS₄薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特指一种新型半导体Cu₂ZnTiS₄薄膜材料及其制备方法。采用磁控溅射多靶沉积方法，在钠钙玻璃(SLG)衬底表面采用三靶共溅Cu、Zn、Ti制备CZTi前驱体薄膜；将得到的CZT前躯体薄膜在510℃温度下的H₂S气氛中保温2个小时，即制备得到Cu₂ZnTiS₄半导体薄膜。采用本方法制备得到的Cu₂ZnTiS₄半导体薄膜是一种厚度为200‑2000nm，光学吸收系数为10⁴cm^‑1，载流子类型为P型的，具有延展性的半导体薄膜材料，对于实现薄膜材料完全柔性化具有十分重要的科学意义和工程价值。

主权项

一种半导体Cu₂ZnTiS₄薄膜材料，其特征在于：所述半导体Cu₂ZnTiS₄薄膜材料的厚度仅为200‑2000nm，吸收系数为10⁴cm^‑1，是一种P型半导体薄膜料，是一种具有延展性的半导体薄膜料。