发明名称 一种基于暗场方差信号的图像传感器关键参数测试方法
摘要 本发明属于电子元器件测试技术领域,具体涉及了一种遵循EMVA Standard 1288标准并利用遗传算法反演图像传感器关键参数的基于暗场方差信号的图像传感器关键参数测试方法。本发明包括:在暗场条件下对图像传感器进行曝光操作,取n个不同的曝光时间,并分别采集这n个不同曝光时间所对应的n帧暗场图像数据,计算出n组暗场灰度值方差;按照遗传算法的进化流程得出图像传感器系统增益K、暗电流μ<sub>I</sub>的最优估计值。本发明提供了一种基于暗场条件的图像传感器关键参数的测试方法,测试耗时少、简单易行。且对比于传统方法对实验环境及设备和空间的苛刻要求,在提高了环境适应性的同时也降低了测试成本。
申请公布号 CN105915891A 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201610297895.9 申请日期 2016.05.06
申请人 哈尔滨工程大学 发明人 温强;刘诗畅;李立
分类号 H04N17/00(2006.01)I 主分类号 H04N17/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于暗场方差信号的图像传感器关键参数测试方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在暗场条件下对图像传感器进行曝光操作,取n个不同的曝光时间,并分别采集这n个不同曝光时间所对应的n帧暗场图像数据,按照EMVA Standard 1288要求,在暗信号初始方差<img file="FDA0000983654840000011.GIF" wi="84" he="70" />已知的基础上,计算出n组暗场灰度值方差<img file="FDA0000983654840000012.GIF" wi="170" he="71" />(2)将图像传感器的系统增益K、暗电流μ<sub>I</sub>作为遗传算法中染色体基因,分别为L<sub>k</sub>、L<sub>I</sub>,则染色体个体为L=(L<sub>k</sub>、L<sub>I</sub>);(3)设定遗传算法中染色体个体适应度函数为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>f</mi><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><munderover><mi>&Sigma;</mi><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>n</mi></munderover><msup><mrow><mo>&lsqb;</mo><mrow><msup><mi>K</mi><mn>2</mn></msup><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>&sigma;</mi><mrow><mi>d</mi><mn>.0</mn></mrow><mn>2</mn></msubsup><mo>+</mo><msub><mi>&mu;</mi><mi>I</mi></msub><msub><mi>t</mi><mi>exp</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mi>i</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><msubsup><mi>&sigma;</mi><mi>q</mi><mn>2</mn></msubsup><mo>-</mo><msubsup><mi>&sigma;</mi><mrow><mi>y</mi><mo>.</mo><mi>d</mi><mi>a</mi><mi>r</mi><mi>k</mi></mrow><mn>2</mn></msubsup><mrow><mo>(</mo><mi>i</mi><mo>)</mo></mrow></mrow><mo>&rsqb;</mo></mrow><mn>2</mn></msup></mrow></mfrac><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000983654840000013.GIF" wi="943" he="197" /></maths>其中:<img file="FDA0000983654840000014.GIF" wi="59" he="64" />为暗信号方差,<img file="FDA0000983654840000015.GIF" wi="85" he="71" />为暗信号初值方差,μ<sub>I</sub>为暗电流,t<sub>exp</sub>为曝光时间,σ<sub>q</sub>=1/12为量化噪声,i为曝光序数;(4)按照遗传算法的进化流程得出L<sub>k</sub>、L<sub>I</sub>,即图像传感器系统增益K、暗电流μ<sub>I</sub>的最优估计值。
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