| 发明名称 | 非重叠电路和高压驱动电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种非重叠电路和高压驱动电路。该非重叠电路，包括第一非重叠单元；所述第一非重叠单元包括串联的第一PMOS管、第一电阻和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接第一信号输入端，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻和第一信号输出端之间；所述第一NMOS管的栅极接第二信号输入端，源极接低电位供应端；漏极连接在所述第一电阻和第二信号输出端之间。该高压驱动电路包括反相电路、与反相电路相连的非重叠电路和与非重叠电路相连的驱动桥电路。该非重叠电路结构简单，所采用的元器件较少，有利于节省成本和占用面积。该高压驱动电路可有效避免驱动桥电路中的漏电流过大，而影响驱动桥电路的正常工作。 | ||
| 申请公布号 | CN105915211A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610332671.7 | 申请日期 | 2016.05.17 |
| 申请人 | 深圳芯能半导体技术有限公司 | 发明人 | 高舰艇;高存旗;刘杰 |
| 分类号 | H03K19/0944(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0944(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人 | 吴立 |
| 主权项 | 一种非重叠电路，连接在高电位供应端(VB)和低电位供应端(VS)之间，其特征在于，包括第一非重叠单元(21)；所述第一非重叠单元(21)包括串联的第一PMOS管(P2)、第一电阻(R1)和第一NMOS管(N2)；所述第一PMOS管(P2)的栅极接第一信号输入端(310)，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻(R1)和第一信号输出端(330)之间；所述第一NMOS管(N2)的栅极接第二信号输入端(320)，源极接低电位供应端(VS)；漏极连接在所述第一电阻(R1)和第二信号输出端(340)之间。 | ||
| 地址 | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁路441号龙岗天安数码创新园二号厂房A602-D | ||