发明名称 |
一种三维表面顺形或共形图案的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种三维表面顺形或共形图案的制备方法,属于微制造领域。其包括:S1将薄膜粘附在辅助基底上;S2采用激光、切割或者蚀刻方式将薄膜加工成预定的图案,获得图案化薄膜辅助基底;S3在塑料薄膜上添加缓冲层;S4使图案化薄膜接触并粘结在所述缓冲层上;S5分离出辅助基底;S6对图案化薄膜目标基底加热,待塑料薄膜塑性增大至可在压力下变形后,将图案化薄膜目标基底移至三维模具上,利用真空压力吸附或高压,使图案化薄膜目标基底变形后贴附在三维模具表面,成为与三维模具表面形貌相同的三维表面顺形或共形图案系统。本发明方法提高了三维表面顺形或共形图案的生产效率、降低了其生产成本。 |
申请公布号 |
CN105905867A |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201610257442.3 |
申请日期 |
2016.04.25 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
吴志刚;彭鹏;张硕 |
分类号 |
B81C3/00(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I |
主分类号 |
B81C3/00(2006.01)I |
代理机构 |
武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 |
代理人 |
李佑宏 |
主权项 |
一种三维表面顺形或共形图案的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:S1:将薄膜粘附在辅助基底上;S2:采用激光、切割或者蚀刻将所述薄膜加工成预定的图案,获得图案化薄膜辅助基底;S3:在塑料薄膜上添加缓冲层,获得目标基底;S4:将图案化薄膜辅助基底与所述目标基底相对压合,使图案化薄膜接触并粘结在所述缓冲层上;S5:分离出辅助基底,完成图案化薄膜由辅助基底到目标基底的转印过程,获得图案化薄膜目标基底;S6:对所述图案化薄膜目标基底加热,待所述塑料薄膜塑性增大至可在真空压力下变形后,将所述图案化薄膜目标基底移至三维模具上,所述三维模具位于压力平台上,利用真空压力吸附或高压,使图案化薄膜目标基底变形后贴附在三维模具表面,成为与三维模具表面形貌相同的三维表面顺形或共形图案。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |