发明名称 | 分子束增强GCIB处理 | ||
摘要 | 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地,该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。 | ||
申请公布号 | CN105917438A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
申请号 | CN201480073422.X | 申请日期 | 2014.11.21 |
申请人 | TEL 艾派恩有限公司 | 发明人 | 马修·C·格温 |
分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 康建峰;李春晖 |
主权项 | 一种气体团簇离子束(GCIB)系统,包括:真空处理系统;气体团簇离子束(GCIB)生成系统,所述GCIB生成系统配置成在所述真空处理系统中生成GCIB;分子束生成系统,所述分子束生成系统配置成在所述真空处理系统中生成分子束;基片保持器,所述基片保持器配置成将基片保持在基片平面内并且定位成使所述基片与所述GCIB相交;以及扫描系统,所述扫描系统耦接至所述基片保持器并且配置成通过所述GCIB扫描所述基片,使得所述GCIB与所述基片相交。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |