| 发明名称 | 用于形成具有纳米晶体的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成具有纳米晶体的半导体器件(10)的方法。该方法包括：提供基板(12)；在基板的表面之上形成第一绝缘层(14)；在第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体(26)；在第一多个纳米晶体之上形成第二绝缘层(28)；将第一材料注入第二绝缘层之内；以及使第一材料退火以在第二绝缘层内形成第二多个纳米晶体(34)。该方法可以用来提供具有较大纳米晶体密度的非易失性存储器的电荷存储层。 | ||
| 申请公布号 | CN102738005B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210106456.7 | 申请日期 | 2012.04.12 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 姜盛泽;J·A·耶特 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板的表面之上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体；将第一材料注入所述第一绝缘层之内，所述第一多个纳米晶体在该注入期间充当掩模；以及使所述第一材料退火以在所述第一绝缘层内形成第二多个纳米晶体。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||