发明名称 |
一种监控电子显微镜化学油污污染的方法 |
摘要 |
一种监控电子显微镜化学油污污染的方法,包括:建立短流程工艺,短流程工艺至少包括依次执行的金属阻挡层生长步骤、金属填充步骤以及金属平坦化步骤;在电子显微镜进行添加润滑油之后,选用短流程硅片,对刚好执行完金属阻挡层生长步骤后的硅片进行缺陷观察动作;将被观察的硅片按照所建立的短流程工艺流片到执行完金属平坦化步骤;在金属平坦化步骤后对硅片进行缺陷检查以确定被观察的硅片是否存在金属损伤缺陷。如果被观察的硅片不存在金属损伤缺陷,确定不存在电子显微镜化学油污污染。如果被观察的硅片不存在金属损伤缺陷,确定不存在电子显微镜化学油污污染。本发明可监控电子显微镜是否受到化学物污染,避免污染在线产品,为良率提供保障。 |
申请公布号 |
CN103972127B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201410216685.3 |
申请日期 |
2014.05.21 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;瞿燕;龙吟;刘飞珏;陈宏璘 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种监控电子显微镜化学油污污染的方法,其特征在于包括:建立短流程工艺,该短流程工艺至少包括依次执行的金属阻挡层生长步骤、金属填充步骤以及金属平坦化步骤;在电子显微镜进行添加润滑油之后,选用短流程硅片,对刚好执行完金属阻挡层生长步骤后的硅片进行缺陷观察动作;将被观察的硅片按照所建立的短流程工艺流片到执行完金属平坦化步骤;在金属平坦化步骤后对被观察的硅片进行缺陷检查,以确定被观察的硅片是否存在金属损伤缺陷。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |