一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可解决源、漏极与半导体有源层之间的接触电阻问题，并可减少构图工艺次数、降低成本。该制备方法包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极和漏极；所述形成金属氧化物半导体有源层包括：形成包括第一图案、第二图案、第三图案，并与源极和漏极直接接触的氧化铟系二元金属氧化物图案层；以形成在源极和漏极上方的绝缘层为阻挡层，采用离子注入技术向氧化铟系二元金属氧化物图案层注入金属掺杂离子，并进行退火处理，将第三图案的二元金属氧化物转化为多元金属氧化物半导体，形成金属氧化物半导体有源层。用于显示装置的制造。

主权项

一种薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极和漏极；其特征在于，所述金属氧化物半导体有源层设置在所述基板与所述源极和所述漏极之间，且与所述源极和所述漏极之间的间隙对应；所述薄膜晶体管还包括与所述金属氧化物半导体有源层同层设置且接触的第一图案和第二图案；所述第一图案与所述源极对应且直接接触，所述第二图案与所述漏极对应且直接接触；其中，所述第一图案和所述第二图案均包括氧化铟系二元金属氧化物，所述金属氧化物半导体有源层包括氧化铟系多元金属氧化物半导体，且所述氧化铟系多元金属氧化物为在所述氧化铟系二元金属氧化物中注入金属掺杂离子并经退火处理后得到的金属氧化物；所述氧化铟系二元金属氧化物包括铟锡氧化物ITO、或铟镓氧化物IGO、或铟锌氧化物IZO；所述金属掺杂离子包括锌离子Zn²⁺、镓离子Ga³⁺、锡离子Sn²⁺、铝离子Al³⁺、以及铪离子Hf⁴⁺中的至少一种。