发明名称 一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法
摘要 本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法,属于激光晶体材料制备技术领域。所述方法包括:在惰性气氛下,分别将含有亚铁离子的掺杂物粉体以及硒化锌晶体放置在反应器高温区和低温区,通过热扩散来制备掺铁硒化锌晶体,进一步地,切割制备的掺铁硒化锌晶体,并使切割的掺铁硒化锌晶体的掺铁面之间进行热键合后,再次进行热扩散。本发明实施例惰性气氛的使用,可抑制低温区ZnSe晶体的挥发,从而显著提高低温区的温度,还可作为亚铁离子热扩散的载体,进而提高亚铁离子的掺杂浓度;通过切割掺铁硒化锌晶体,并将掺铁硒化锌晶体掺铁面间进行热键合后进行二次热扩散,进一步提高亚铁离子的掺杂浓度,更利于掺铁硒化锌晶体中亚铁离子的均匀分布。
申请公布号 CN103590110B 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201310565663.3 申请日期 2013.11.14
申请人 北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所 发明人 夏士兴;莫小刚;庞才印;李兴旺;张月娟;朱建慧
分类号 C30B31/08(2006.01)I 主分类号 C30B31/08(2006.01)I
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人 刘映东
主权项 一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法,其特征在于,所述掺铁硒化锌激光晶体的制备方法为:在惰性气氛条件下,将含有亚铁离子的掺杂物放置在反应器高温区,将硒化锌晶体放置在反应器低温区,通过热扩散使所述亚铁离子进入所述硒化锌中,制备得到第一掺铁硒化锌激光晶体;所述高温区的温度为1100~1300℃,所述低温区的温度为900~1100℃。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号11所西门