一种大功率LED芯片的制作方法

摘要

本发明提供了一种大功率LED芯片的制作方法，依次包括在外延片表面沉积电流阻挡层、沉积透明导电层、去除杂物、高温退火、制作焊盘和电极线、二次高温退火的步骤，其中，在沉积电流阻挡层步骤之前，或者在去除杂物步骤和高温退火步骤之间，进行加工发光区台面使其露出N型GaN层及形成隔离道的步骤；所述制作焊盘和电极线步骤为：通过负胶光刻、扫胶、沉积、剥离等方式制作P型电极焊盘、N型电极焊盘、P型电极线和N型电极线，所述P型电极线仅分布在P型GaN层表面，透明导电层之上。本发明摒弃P型电极线同时占据隔离道和P型GaN层表面的结构，仅让P电极线设置在芯粒表面，将隔离道变窄，宽度减到原来的三分之一，增大发光面积，大大提高发光亮度。

主权项

一种大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，依次包括在外延片表面沉积电流阻挡层、沉积透明导电层、去除杂物、高温退火、制作焊盘和电极线的步骤，其中，所述沉积电流阻挡层步骤为：在P型焊盘区域和P型电极线的位置下方沉积电流阻挡层，所述电流阻挡层在440‑720nm范围内透明；在沉积电流阻挡层步骤之前，或者在去除杂物步骤和高温退火步骤之间，进行加工发光区台面使其露出N型GaN层及形成隔离道的步骤；隔离道的宽度为原来的三分之一；所述去除杂物的步骤为：去除N型焊盘区、N型电极线沟槽和P型焊盘区的导电物质；所述高温退火步骤为：在10‑20℃/min的升温速率下、同时8‑13slm/min的氮气气氛，升到540‑580℃，恒温5‑8min，使透明导电层更加致密，并且与P型GaN层之间形成良好的欧姆接触；所述制作焊盘和电极线步骤为：通过负胶光刻、扫胶、沉积、剥离方式制作P型电极焊盘、N型电极焊盘、P型电极线和N型电极线，所述P型电极线仅分布在P型GaN层表面边缘，透明导电层之上。