发明名称 一种辅电源电路
摘要 一种辅电源电路,包括三个端口:直流高压端Vdc,地,输出端Out,至少包括R1、R2、N型晶体管J1,电容C1,R1的一端为Vdc,另一端连接电容C1的一端,连接点为输出端,电容C1的另一端接地,J1和电阻R2串联再与电容C1并联,输出端接源极驱动的反激变换电路中上管的栅极,该电路的静态功率轻松低至30mW以下,让源极驱动的反激变换电路的整机功耗低至100mW得已实现,辅电源电路具有成本低、占板面积小;器件为常见型号,选型容易,可靠性高。
申请公布号 CN105915064A 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201610378633.5 申请日期 2016.05.31
申请人 广州金升阳科技有限公司 发明人 王保均;翁斌
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种辅电源电路,包括三个端口:直流高压端,接地端,输出端,至少包括第一电阻、第二电阻、NPN型晶体管,第一电容,连接关系为:所述的第一电阻的一端为直流高压端,所述的第一电阻的另一端连接所述的第一电容的一端,连接点为输出端,所述的第一电容的另一端为接地端,其特征是,所述的NPN型晶体管和所述的第二电阻串联,串联后的网络与所述的第一电容并联,所述的NPN型晶体管和所述的第二电阻串联方式为以下两种之一:1)所述的第二电阻的一端连接所述的第一电容的一端,所述的第二电阻的另一端连接所述的NPN型晶体管的集电极,所述的NPN型晶体管的基极与所述的第一电容的另一端连接,所述的NPN型晶体管的发射极悬空;2)所述的NPN型晶体管的集电极连接所述的第一电容的一端,所述的NPN型晶体管的基极与所述的第二电阻的一端连接,所述的第二电阻的另一端与所述的第一电容的另一端连接,所述的NPN型晶体管的发射极悬空。
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