一种红黄光发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种红黄光发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括N型衬底、N型缓冲层、N型反射层、N型限制层、电子阻挡层、多量子阱层、空穴调整层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，电子阻挡层包括AlGaInP层和AlInP层，空穴调整层包括第一子层和至少两层第二子层，第一子层为非掺杂的AlInP层，第二子层包括P型掺杂的AlInP层和非掺杂的AlInP层，P型掺杂的AlInP层的掺杂浓度小于P型限制层的掺杂浓度。本发明通过电子阻挡层延缓电子达到多量子阱层，空穴调整层使得空穴均匀分布在临近多量子阱层的区域，增加电子和空穴的复合几率，提高发光二极管的发光效率。

主权项

一种红黄光发光二极管外延片，所述红黄光发光二极管外延片包括N型衬底、以及依次层叠在所述N型衬底上的N型缓冲层、N型反射层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，其特征在于，所述红黄光发光二极管外延片还包括层叠在所述N型限制层和所述多量子阱层之间的电子阻挡层、以及层叠在所述多量子阱层和所述P型限制层之间的空穴调整层，所述电子阻挡层包括AlGaInP层和AlInP层，所述空穴调整层包括第一子层和至少两层第二子层，所述第一子层为非掺杂的AlInP层，所述第二子层包括P型掺杂的AlInP层和非掺杂的AlInP层，所述P型掺杂的AlInP层的掺杂浓度小于所述P型限制层的掺杂浓度。