发明名称 一种基于各向异性衬底的半导体激光器
摘要 本实用新型提出一种新的半导体激光器结构,主要对芯片衬底进行了改进,解决了现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。该半导体激光器包括激光器芯片、衬底和散热器,激光器芯片键合于衬底的正面或背面,衬底底部直接通过焊料键合到散热器上,满足CTE匹配;所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得:所述复合体中对应于激光器芯片的键合区域,从衬底正面到衬底背面表现为导电联通;所述键合区域与衬底底部表现为相互绝缘。
申请公布号 CN205543682U 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201620222216.7 申请日期 2016.03.22
申请人 西安炬光科技股份有限公司 发明人 刘兴胜;蔡万绍;陶春华;邢卓;宋涛
分类号 H01S5/02(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/02(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 胡乐
主权项 一种基于各向异性衬底的半导体激光器,包括激光器芯片、衬底和散热器,激光器芯片键合于衬底的正面或背面,其特征在于:衬底底部直接通过焊料键合到散热器上,满足CTE匹配;所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得:所述复合体中对应于激光器芯片的键合区域,从衬底正面到衬底背面表现为导电联通;所述键合区域与衬底底部表现为相互绝缘。
地址 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园