| 发明名称 | 一种恒流二极管结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种恒流二极管结构，在N型外延层中增设P型发射区，N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管，P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管，由此，单位面积电流大幅提高，并且器件的温度稳定性和均匀性较好。 | ||
| 申请公布号 | CN205542795U | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201620116899.8 | 申请日期 | 2016.02.05 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 王英杰 |
| 分类号 | H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/808(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 余毅勤 |
| 主权项 | 一种恒流二极管结构，其特征在于，包括：P型衬底；形成于所述P型衬底正面上的N型外延层；形成于所述N型外延层中的P型栅极区、N型源区、N型漏区、P型发射区以及P型隔离；以及形成于所述P型栅极区、N型源区以及P型发射区上的正面电极；其中，所述P型衬底、N型外延层和P型发射区组成PNP三极管，所述N型源区、P型栅极区、N型外延层、N型漏区组成恒流二极管。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号 | ||