半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。其中该半导体器件的制造方法包括提供具有半导体层的绝缘体上半导体，图案化所述半导体层以在所述半导体层上形成凹槽，两个相邻所述凹槽之间为凸起；形成应力改变层覆盖所述凹槽和所述凸起；图案化所述应力改变层以在所述应力改变层上形成沟槽，所述应力改变层被所述沟槽限定出应力改变层侧壁；形成绝缘侧墙于所述应力改变层侧壁；形成栅介电层覆盖所述凸起暴露出的部分；形成栅电极层覆盖所述栅介电层。本发明所提供的半导体器件的制造方法通过设置该应力改变层来调整半导体器件多数载流子的迁移率，改善该半导体器件的电性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供绝缘体上半导体，所述绝缘体上半导体包括衬底、半导体层以及位于所述衬底与所述半导体层之间的绝缘层；图案化所述半导体层以在所述半导体层上形成凹槽，两个相邻所述凹槽之间为凸起，所述凸起被所述凹槽限定出凸起侧壁；形成应力改变层覆盖所述凹槽和所述凸起，所述应力改变层对所述凸起产生应力改变作用；图案化所述应力改变层以在所述应力改变层上形成沟槽，所述沟槽暴露出至少部分所述凸起，所述应力改变层被所述沟槽限定出应力改变层侧壁；形成侧墙于所述应力改变层侧壁，所述侧墙遮挡部分所述凸起；形成栅介电层以覆盖所述凸起暴露出的部分；形成栅电极层以覆盖所述栅介电层，所述栅电极层填充所述沟槽。