一种基于双图案的半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种基于双图案的半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底以及位于所述衬底上的掩膜层；在所述掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层为通过开口相互隔离的光刻胶核；在所述图案化的光刻胶层上形成交联顶部表面层；去除部分所述光刻胶层侧壁，以削瘦所述光刻胶核、减小所述光刻胶核的关键尺寸；旋涂内侧壁材料层，并覆盖所述交联顶部表面层；回蚀刻所述内侧壁材料层，以在所述光刻胶核上形成内侧壁；去除剩余的交联顶部表面层和剩余的光刻胶核，以形成双图案化的掩膜。本发明的方法更加简单，无化学气相沉积内侧壁材料带来的应力问题，且蚀刻步骤减少，使得成本大大降低，进一步提高了产品的良率。

主权项

一种基于双图案的半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底以及位于所述衬底上的掩膜层；在所述掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层为通过开口相互隔离的光刻胶核；在所述图案化的光刻胶层上形成交联顶部表面层，作为内侧壁材料层的蚀刻停止层；去除部分所述光刻胶层侧壁，以削瘦所述光刻胶核、减小所述光刻胶核的关键尺寸；旋涂内侧壁材料层，覆盖所述交联顶部表面层；回蚀刻所述内侧壁材料层，以在所述光刻胶核上形成内侧壁；去除剩余的交联顶部表面层和剩余的光刻胶核，以形成双图案化的掩膜。