发明名称 |
储能装置用正极活性材料的制造方法及储能装置 |
摘要 |
制造一种单位重量或单位体积的容量大的储能装置及储能装置用正极活性材料。利用二维碳覆盖储能装置用正极活性材料中包括的主要材料的表面。正极活性材料中包括的主要材料由具有二维扩展结构且可以忽略其厚度的高导电材料覆盖,由此可以减少碳覆盖量并且即便在不使用导电助剂或者在导电助剂量极少的情况下也可以获得具有接近理论容量的容量的储能装置。因此,可以降低正极中的碳覆盖量并减小导电助剂的体积,从而可以减小正极的体积。 |
申请公布号 |
CN103140967B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201180047894.4 |
申请日期 |
2011.09.29 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
野元邦治;三轮讬也;山梶正树;川上贵洋 |
分类号 |
H01M4/58(2006.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I |
主分类号 |
H01M4/58(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
钱孟清 |
主权项 |
一种储能装置用正极活性材料的制造方法,包括如下步骤:通过混合将成为所述正极活性材料的原料来形成混合物;对所述混合物进行第一焙烧;磨碎所述混合物;对被磨碎的混合物添加氧化石墨烯;进行第二焙烧来形成反应生成物并使所述氧化石墨烯还原;用石墨烯覆盖所述反应生成物的表面,其中,所述石墨烯相对于所述正极活性材料的表面具有大于等于0°且小于3°角度。 |
地址 |
日本神奈川县 |