利用单图案化隔离件技术的双图案化技术

摘要

本发明为利用单图案化隔离件技术的双图案化技术，具体涉及一种形成集成电路结构的方法，包括在晶片表示上形成平行于第一方向的第一和第二多个轨迹。该第一和第二多个轨迹被分配在交替的图案中。在第一多个轨迹上而不在第二多个轨迹上布线第一多个图案。在第二多个轨迹上而不在第一多个轨迹上布线第二多个图案。使第一多个图案在第一方向和与第一方向垂直的第二方向上延伸，使得每个第二多个图案被第一多个图案的部分包围，其中在延伸步骤之后，基本上晶片表示上的第一多个图案的相邻两个均不具有大于预定空间的空间。

主权项

一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：提供晶片；提供光刻掩模；利用所述光刻掩模在所述晶片上形成第一多个部件，其中，所述第一多个部件包括圆角角部；在所述第一多个部件的侧壁上形成侧壁隔离件，其中，所述侧壁隔离件包围多个空间；以及填充所述多个空间以形成第二多个部件，其中，所述第二多个部件包括从上向下观看时所见的刺状部，并且所述刺状部的侧壁沿着所述第一多个部件中的面向所述刺状部的侧壁的相应部件的侧壁的轮廓布置。