具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法

摘要

本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。

主权项

一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu‑In‑Ga‑Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述步骤a所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理；上述前驱体薄膜的形成方法是基于溅射法的沉积；上述溅射法按照下列方式组合后进行，即至少包括一个含硒的靶；上述组合是下列靶组合中的某一个：Cu‑Se、In‑Se、Ga‑Se靶组合，Cu‑Se、In‑Se、Cu‑Ga靶组合，Cu、In‑Se、Ga‑Se靶组合，Cu‑Se、In、Cu‑Ga靶组合及Cu‑In‑Se、Cu‑Ga靶组合；上述前驱体薄膜的Se的原子比(Se/(Cu+In+Ga))为0.3～0.8。