发明名称 |
一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用,属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下,使Ar气等离子化,并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理,不仅可以修饰其界面、减少缺陷,而且操作简单,处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高,有利于提高太阳能电池的转化效率。 |
申请公布号 |
CN105914244A |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201610491387.4 |
申请日期 |
2016.06.29 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
程树英;董丽美;赖云锋;龙博;俞金玲;张红 |
分类号 |
H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/072(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0296(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)选择柔性钼箔作为底电极,在浓硫酸和甲醇体积比1:7的混合溶液中进行清洗,最后用去离子水冲干净并用氮气吹干;(2)利用溶胶凝胶法在钼箔上制备金属预制层薄膜,其后进行硫化从而得到CZTS薄膜;(3)将(2)的CZTS薄膜进行等离子体处理,包括以下步骤:A、将所述CZTS薄膜放置于腔室中,并抽真空至0.1Pa以下;B、 在所述真空腔室中通入气流为48 sccm的Ar气,并保持腔室气压为100Pa,然后起辉;C、调整节流阀使所述真空腔室保持在120Pa, 施加80~120W射频功率于腔室内的气体,使其等离子化,并保持等离子体对CZTS薄膜的作用时间为120s;(4)采用化学水浴法在(3)所得的等离子体处理后的CZTS薄膜表面沉积CdS薄膜;(5)采用蒸发法在(4)制得的样品表面镀一层铝电极。 |
地址 |
350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 |