金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管

摘要

一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，该制备方法包括：在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域，在光刻胶的保护下，利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽；电子束蒸发下层金属，利用剥离工艺得到下层金属图案；转移石墨烯到透明衬底上，旋涂光刻胶，采用从背面曝光的方式，利用已有的下层金属作为光刻掩模，实现上层金属的自对准图形；沉积金属，自对准地形成金属与石墨烯双面接触结构。本发明的方法可以有效保证上下层金属的对准结构，减小石墨烯和金属之间的接触电阻，从而提高石墨烯电子器件的性能。

主权项

一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一透明衬底；在所述透明衬底上形成下层金属图案；在所述透明衬底具有所述下层金属图案的一面上，转移形成一与所述下层金属图案接触的石墨烯层；在所述石墨烯层上旋涂光刻胶，采用从所述透明衬底相对所述下层金属图案的另一面进行光照曝光的方式，利用已有的所述下层金属图案作为光刻掩模，对所述光刻胶曝光；形成上层金属图案，从而自对准地形成所述金属石墨烯双面接触结构。