| 发明名称 | 电子器件、薄膜晶体管、以及阵列基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种电子器件及其制作方法、薄膜晶体管的制作方法、以及阵列基板及其制作方法。该电子器件的制作方法，包括：在衬底基板上形成金属结构；在金属结构和衬底基板上形成无氧绝缘层；以及在无氧绝缘层上形成绝缘保护层。该电子器件的制作方法通过在金属结构上形成不含氧元素的无氧绝缘层，从而保护金属结构，防止金属结构被氧化。 | ||
| 申请公布号 | CN105914134A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610365811.0 | 申请日期 | 2016.05.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王美丽 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种电子器件的制作方法，包括：在衬底基板上形成金属结构；在所述金属结构和所述衬底基板上形成无氧绝缘层；以及在所述无氧绝缘层上形成绝缘保护层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||