发明名称 |
一种等离子体增强化学气相沉积设备 |
摘要 |
本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括反应腔体,内部设置有上极板和下级板;将下级板划包括沉积板和槽型机构,沉积板盖设于槽型机构的槽型开口上,形成一容置空间。将槽型机构的外表面覆盖一层由绝缘材料形成的绝缘壁,只保留沉积板通入射频电压产生等离子体进行镀膜,能够保证等离子体的均匀性和稳定性,使得薄膜材料均匀的沉积在基片上,能够提高制膜质量。 |
申请公布号 |
CN205529031U |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201620267784.9 |
申请日期 |
2016.03.31 |
申请人 |
成都西沃克真空科技有限公司 |
发明人 |
向勇;傅绍英;孙赫;闫宗楷 |
分类号 |
C23C16/509(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/509(2006.01)I |
代理机构 |
北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 |
代理人 |
詹守琴 |
主权项 |
一种等离子体增强化学气相沉积设备,其特征在于,包括:反应腔体,内部设置有上极板和下级板;所述上极板和所述下级板对应设置;所述下级板包括沉积板和槽型机构,所述沉积板盖设于所述槽型机构的槽型开口上,形成一容置空间,其中,所述槽型机构的外表面覆盖有由绝缘材料形成的绝缘壁。 |
地址 |
610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港(双流园区)东海路六段680号 |