发明名称 |
一种N型太阳能电池和组件及其系统 |
摘要 |
本实用新型涉及一种N型太阳能电池和组件及其系统。本实用新型的一种N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面包括背面电极,N型晶体硅基体的正表面包括穿透钝化减反膜的槽状结构、正面副栅和正面主栅,正面副栅填充在槽状结构内并与所述p+掺杂区域形成欧姆接触。其有益效果是:在N型太阳能电池正表面的正面电极结构中,主栅线使用银浆,这样可以很好地满足焊接要求;通过槽状结构的设置,正面副栅可以使用铝浆,这样既能和p+掺杂表面形成优异的欧姆接触,又能极大地降低浆料带来的生产成本。 |
申请公布号 |
CN205542837U |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201620311978.4 |
申请日期 |
2016.04.14 |
申请人 |
泰州中来光电科技有限公司 |
发明人 |
林建伟;刘志锋;孙玉海;季根华;张育政 |
分类号 |
H01L31/05(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/05(2014.01)I |
代理机构 |
北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 |
代理人 |
林建军;刘卓夫 |
主权项 |
一种N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面包括背面电极,所述N型晶体硅基体的正表面包括穿透所述钝化减反膜的槽状结构、正面副栅和正面主栅,所述正面副栅填充在所述槽状结构内并与所述p+掺杂区域形成欧姆接触;所述正面主栅的长与宽的比值小于或者等于600∶1。 |
地址 |
225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路 |