发明名称 一种N型太阳能电池和组件及其系统
摘要 本实用新型涉及一种N型太阳能电池和组件及其系统。本实用新型的一种N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面包括背面电极,N型晶体硅基体的正表面包括穿透钝化减反膜的槽状结构、正面副栅和正面主栅,正面副栅填充在槽状结构内并与所述p+掺杂区域形成欧姆接触。其有益效果是:在N型太阳能电池正表面的正面电极结构中,主栅线使用银浆,这样可以很好地满足焊接要求;通过槽状结构的设置,正面副栅可以使用铝浆,这样既能和p+掺杂表面形成优异的欧姆接触,又能极大地降低浆料带来的生产成本。
申请公布号 CN205542837U 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201620311978.4 申请日期 2016.04.14
申请人 泰州中来光电科技有限公司 发明人 林建伟;刘志锋;孙玉海;季根华;张育政
分类号 H01L31/05(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/05(2014.01)I
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人 林建军;刘卓夫
主权项 一种N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面包括背面电极,所述N型晶体硅基体的正表面包括穿透所述钝化减反膜的槽状结构、正面副栅和正面主栅,所述正面副栅填充在所述槽状结构内并与所述p+掺杂区域形成欧姆接触;所述正面主栅的长与宽的比值小于或者等于600∶1。
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