发明名称 一种背结N型晶体硅太阳能电池和组件及其系统
摘要 本实用新型涉及一种背结N型晶体硅太阳能电池和组件及其系统。本实用新型的一种背结N型晶体硅太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的背表面设置有背面银主栅电极、背面铝电极和穿透钝化膜的槽状结构,背面电极填充在槽状结构内并与p+掺杂区域形成欧姆接触;N型晶体硅基体的正表面包括正面电极,正面电极包括与n+掺杂区域欧姆接触的金属丝。其有益效果是:本实用新型得到的电池结构可提高电池的开路电压,同时还能够极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。通过设置金属丝来形成副栅,在保证金属丝副栅电阻不增加的情况下,极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。
申请公布号 CN205542810U 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201620312960.6 申请日期 2016.04.14
申请人 泰州中来光电科技有限公司 发明人 林建伟;孙玉海;刘志锋;季根华;张育政
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人 林建军;刘卓夫
主权项 一种背结N型晶体硅太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面设置有背面银主栅电极、背面铝电极和穿透钝化膜的槽状结构,背面铝电极填充在槽状结构内并与p+掺杂区域形成欧姆接触;所述N型晶体硅基体的正表面包括正面电极,所述正面电极包括与所述n+掺杂区域欧姆接触的金属丝;所述N型晶体硅基体的长度与厚度的比值为300∶1~10000∶1。
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