OPTOELECTRONIC DEVICE

摘要

Le dispositif optoélectronique comporte une matrice incluant au moins un composant optoélectronique comprenant une couche active de nitrure de gallium GaN comportant de multiples puits quantiques InGaN/GaAsN ou InGaN/AlGaN sur un substrat de nitrure de gallium GaN dopé p et recouverte d'une couche de nitrure de gallium GaN dopé n. Le substrat de nitrure de gallium GaN dopé p forme une colonne de p-GaN recouverte d'une couche isolante en matériau biocompatible. Le dispositif peut comporter une matrice comprenant une pluralité de composants électroniques qui peuvent être de hauteurs différentes. Le composant optoélectronique peut être une photodiode ou un amplificateur optique semiconducteur à cavité verticale. Ce dispositif optoélectronique est utilisable dans des prothèses épirétiniennes ou sous-rétiniennes. Une même prothèse épirétinienne ou sous-rétinienne peut comprendre une matrice de photodiodes et une matrice d'amplificateurs optiques semiconducteurs SOA à cavité verticale.