对接耦合的埋设波导光电探测器

摘要

本发明涉及对接耦合的埋设波导光电探测器。一种形成具有光电探测器和CMOS设备的集成光子半导体结构的方法，其可以包括：在第一绝缘体上硅区上形成CMOS设备；在第二绝缘体上硅区上形成硅光波导；以及形成围绕硅光波导的浅槽隔离(STI)区，从而使得所述浅槽隔离将第一和第二绝缘体上硅区电隔离。在STI区内，邻近半导体光波导的端面沉积锗材料。所述锗材料形成一个活性区，其接收来自半导体光波导的端面的传播光学信号。

主权项

一种形成具有光电探测器设备和CMOS设备的集成光子半导体结构的方法，其包括：形成用于CMOS设备的阱区；形成用于把光电探测器设备与阱区电隔离的隔离区，所述隔离区从所述光电探测器设备的上表面延伸到下层的氧化层，其中所述隔离区与所述下层的氧化层直接物理接触；形成用于传播光学信号的半导体光波导；以及在隔离区内邻近半导体光波导的端面沉积锗材料，其中，所沉积的锗材料形成光电探测器设备的活性区，以用于接收来自半导体光波导结构的端面的传播光学信号。