去除硅片表面低介电材料的方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种去除硅片表面低介电材料的方法，包括以下步骤：提供一表面具有低介电质材料的硅片；对硅片进行紫外线固化处理后，使用一定浓度的氢氟酸对硅片进行湿法清洗，然后使用去离子水再对硅片进行清洗，最后通入氮气进行干燥处理。由于发明在对硅片进行湿法清洗前先进行了一紫外线固化工艺，使得硅片表面的低介电材料得以固化，再进行湿法清洗时可有效去除硅片表面的低介电材料，同时也不容易对硅片造成损伤，使得经过本发明处理后的硅片可以再次利用，进而降低了生产成本。

主权项

一种去除硅片表面低介电材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一表面具有低介电质材料的硅片；对所述硅片进行紫外线固化处理后，继续对该硅片依次进行第一清洗工艺和第二清洗工艺；对所述硅片进行干燥处理；其中，采用氢氟酸对所述硅片进行所述第一清洗工艺后，采用去离子水进行所述第二清洗工艺；紫外线固化处理的反应温度为350～400℃，时间为300s。