发明名称 | 互连结构的形成方法 | ||
摘要 | 一种互连结构的形成方法,包括提供基底,所述基底表面具有介质层;在所述介质层内形成第一开口,所述第一开口的深度小于介质层的高度;在第一开口的侧壁表面形成牺牲层;以所述硬掩膜层为掩膜,沿第一开口刻蚀所述牺牲层和介质层,形成沟槽,所述沟槽深度小于介质层的高度;填充所述沟槽,形成金属层,暴露出牺牲层和介质层的表面;去除所述牺牲层,在所述金属层两侧形成第二开口;在所述介质层、金属层表面形成盖帽层,所述盖帽层填充满所述第二开口。所述互连结构的形成方法,可以提高金属层和介质层的黏附性能,有效降低金属电迁移,从而提高电路的性能。 | ||
申请公布号 | CN104022070B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
申请号 | CN201310064745.X | 申请日期 | 2013.02.28 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底表面具有介质层;在所述介质层表面形成硬掩膜层,所述硬掩膜层具有开口,暴露出介质层的部分表面;以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀所述介质层,在所述介质层内形成第一开口,所述第一开口的深度小于介质层的高度;在所述第一开口的侧壁以及硬掩膜层的侧壁表面形成牺牲层;以所述硬掩膜层和牺牲层为掩膜,沿第一开口刻蚀所述介质层,形成沟槽,所述沟槽深度小于介质层的高度;填充所述沟槽,形成金属层,所述金属层填充满所述沟槽并覆盖硬掩膜层的表面;以介质层为停止层,对所述金属层进行平坦化,暴露出牺牲层和介质层的表面;去除所述牺牲层,在所述金属层两侧形成第二开口;在所述介质层、金属层表面形成盖帽层,所述盖帽层填充满所述第二开口。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |