| 发明名称 | 一种金刚石器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金刚石器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤（1）在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶；（2）将有源区外金刚石导电沟道去除；去除光刻胶（3）在源、漏位置以外处覆盖光刻胶；（4）转移石墨烯覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯上面沉积欧姆接触金属；（6）剥离，形成源漏；（7）制备栅。本发明制备方法简单，在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层，石墨烯与金刚石，石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触，可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103915338B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201410107135.8 | 申请日期 | 2014.03.21 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 蔚;冯志红;李佳;何泽召;王晶晶;刘庆彬 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种金刚石器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤（1）在有导电沟道（2）的金刚石（1）表层上的有源区覆盖光刻胶（3）；（2）将有源区外金刚石导电沟道（2）去除；去除光刻胶（3）；（3）在源（6）、漏（7）位置以外处覆盖光刻胶（3）；（4）转移石墨烯（4）覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯（4）上面沉积欧姆接触金属（5）；（6）剥离，形成源（6）、漏（7）；（7）制备栅（8）。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||