发明名称 |
一种低衰减单模光纤 |
摘要 |
本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm~7.0μm,相对折射率差Δ1为0.15%~0.35%,所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层,所述的下陷内包层半径R2为7.0μm~12.0μm,下陷内包层相对折射率差Δ2为‑0.33%~‑0.05%,所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为‑0.29%~‑0.05%。本发明在普通阶跃型剖面的基础上减少芯层掺锗量、增加包层掺氟量,在满足单模传输波导所需的芯包折射率差的基础上,将芯层和包层折射率同时下移,这样可以大大降低芯层掺杂剂浓度波动引起的瑞利散射损耗,而且,掺杂剂的改变使芯层粘度增加、包层粘度下降,芯包层粘度匹配得到进一步改善,这样可以减小拉丝过程产生的内应力,从而也可进一步降低衰减。 |
申请公布号 |
CN105911639A |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201610347146.2 |
申请日期 |
2016.05.24 |
申请人 |
长飞光纤光缆股份有限公司 |
发明人 |
陈刚;朱继红;王瑞春;汪洪海;拉吉·马泰;艾靓;王洋 |
分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
胡建平 |
主权项 |
一种低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径R1为4.0μm~7.0μm,相对折射率差Δ1为0.15%~0.35%,所述的包层包括下陷内包层和下陷外包层,所述的下陷内包层半径R2为7.0μm~12.0μm,下陷内包层相对折射率差Δ2为‑0.33%~‑0.05%,所述的下陷外包层相对折射率差Δ3为‑0.29%~‑0.05%。 |
地址 |
430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道9号 |