用于三维与非门闪存的存储器装置及其操作方法

摘要

本发明公开了一种用于三维与非门闪存的存储器装置及其操作方法，该存储器装置包括多个存储单元的复数串行。多个导电条带的多个叠层包括作为这些串行中的多条第一串行选择线的多个第一上条带、作为这些串行中的多条第二串行选择线的多个第二上条带，以及作为这些串行中的多条字线多个中间条带。该存储器装置包括一控制电路，耦接于这些第一串行选择线及这些第二串行选择线，并通过施加一第一启动电压至耦接于一特定串行的这些第一串行选择线的其中之一、及施加一第二启动电压至耦接于该特定串行的这些第二串行选择线的其中之一，以选择该特定串行。

主权项

一种存储器装置(memory device)，包括多个存储单元的复数串行(string)，该存储器装置包括：多个导电条带(conductive strip)的多个叠层(stack)，包括多个第一上条带(first upper strip)、多个第二上条带(second upper strip)及多个中间条带(intermediate strip)，这些第一上条带是作为这些串行中的多条第一串行选择线(first string select line)，这些第二上条带是作为这些串行中的多条第二串行选择线(second string select line)，这些中间条带是作为这些串行中的多条字线(word line)；以及一控制电路，耦接于这些第一串行选择线及这些第二串行选择线，并通过施加一第一启动电压(first turn‑on voltage)至耦接于一特定串行的这些第一串行选择线的其中之一、及施加一第二启动电压(second turn‑on voltage)至耦接于该特定串行的这些第二串行选择线的其中之一，以选择该特定串行。