| 摘要 |
본 발명은 고연색성 백색 발광 소자로서, 440nm~460nm의 여기 파장을 갖는 청색 LED 칩과 상기 청색 LED 칩의 발광면을 덮고, 상기 청색 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 형광체층을 포함하는 백색 발광 소자이며, 상기 형광체층은, 480~499nm의 발광 피크 파장을 가지며, 화학식 (Ba,Eu)Si(O,Cl)N(1 < x < 5)로 표현되는 형광체를 포함하는 제1 형광체; 500~560nm의 발광 피크 파장을 가지며, 화학식 (Sr,Ba,Ca)SiO:Eu (1 < x < 5)로 표현되는 형광체, 화학식 SiＡlON:Eu (0.1 < y < 0.5)로 표현되는 형광체 또는 화학식 AlLuO:Ce(1< z < 5)로 표현되는 형광체 중 어느 하나 이상의 형광체를 포함하는 제2 형광체; 및 600~650nm의 발광 피크 파장을 가지며, 화학식 (Sr,Ca)AlSiN:Eu (1 < x < 5)로 표현되는 형광체 또는 화학식 CaAlSiN:Eu (1 < y < 5) 로 표현되는 형광체 중 어느 하나 이상의 형광체를 포함하는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자를 제시한다. |
