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发明名称
グラフェンを含む電界効果トランジスタ
摘要
According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.
申请公布号
JP5982234(B2)
申请公布日期
2016.08.31
申请号
JP20120201265
申请日期
2012.09.13
申请人
三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人
梁 喜準;朴 晟準;鄭 現鍾;許 鎭盛
分类号
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
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