发明名称 グラフェンを含む電界効果トランジスタ
摘要 According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.
申请公布号 JP5982234(B2) 申请公布日期 2016.08.31
申请号 JP20120201265 申请日期 2012.09.13
申请人 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 发明人 梁 喜準;朴 晟準;鄭 現鍾;許 鎭盛
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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