发明名称 |
辐射直接转换器和其产生方法、辐射探测器、医疗技术设备 |
摘要 |
本发明涉及一种辐射直接转换器,具有带有阳极侧和阴极侧的辐射探测材料,其中,所述辐射探测材料具有在从阳极侧到阴极侧的方向上的掺杂物分布。此外,本发明涉及一种具有这样的辐射直接转换器以及具有阳极装置、阴极装置并且可选地具有用于读取探测器信号的分析电子器件的辐射探测器,以及涉及一种具有这样的辐射探测器医疗技术设备。此外,本发明还涉及一种用于产生辐射直接转换器的方法,该方法包括将掺杂物分布在从阳极侧到阴极侧的方向上引入辐射探测材料的步骤。 |
申请公布号 |
CN102629638B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201210022180.4 |
申请日期 |
2012.02.01 |
申请人 |
西门子公司 |
发明人 |
P.哈肯施迈德;C.施罗特;M.斯特拉斯伯格 |
分类号 |
H01L31/115(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;A61B6/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
谢强 |
主权项 |
一种辐射直接转换器(3),具有带有阳极侧和阴极侧的辐射探测材料,其中,所述辐射探测材料具有在从阳极侧到阴极侧的方向上的掺杂物分布,其中所述辐射探测材料由从由Cd<sub>x</sub>Zn<sub>1‑x</sub>Te<sub>y</sub>Se<sub>1‑y</sub>,其中0≤x≤1、0≤y≤1,或Cd<sub>x</sub>Mn<sub>1‑x</sub>Te<sub>y</sub>Se<sub>1‑y</sub>,其中0≤x≤1、0≤y≤1,组成的族中所选择的半导体化合物构成,并且其中用于Ⅱ‑Ⅵ半导体化合物的掺杂物,是族Ⅰ或族Ⅴ的元素或由这些元素组成的混合物,或者,是族Ⅶ或族Ⅲ的元素或由这些元素组成的混合物,其中所述掺杂物分布是掺杂物成分和/或掺杂物浓度从阳极侧向阴极侧的方向改变或区分。 |
地址 |
德国慕尼黑 |