发明名称 曝光图像补偿方法
摘要 本发明公开一种曝光图像补偿方法,依多个蚀刻因子对原始的曝光图像进行补偿,再依此已补偿的曝光图案来制作图案化光致抗蚀剂层。接着,通过湿式蚀刻配合此图案化光致抗蚀剂层来图案化在电路板上的导体层以形成导体线路。所测量的导体线路的线宽误差代表未考虑的蚀刻因子所造成的结果。当所测量的线宽超出预设范围时,将未考虑的因子对蚀刻结果的影响归纳后计算出误差值,将误差值带入后重新计算出导体层对应在电路板上的各点的补偿数据,并依此补偿数据再次制作图案化光致抗蚀剂层及对应的导体线路。当所测量的线宽落入预设范围时,目前的补偿数据是最佳的补偿数据。
申请公布号 CN104281008B 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201310273126.1 申请日期 2013.07.02
申请人 欣兴电子股份有限公司 发明人 余丞博;黄尚峰;黄瀚霈
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F1/56(2012.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一种曝光图像补偿方法,其特征在于,包括下列步骤:(a)依照多个蚀刻因子来计算导体层对应在电路板上的各点的补偿数据以补偿原始的曝光图像,其中该些蚀刻因子包括选择自导体层对应在电路板上的各点的厚度、面次、光致抗蚀剂层厚度及线路宽度、线路疏密程度、线路结构形式及线路轮廓所组成群组的一种组合;(b)依照已补偿的曝光图像在电路板上的导体层上形成图案化的光致抗蚀剂层;(c)通过图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模来蚀刻导体层被图案化的光致抗蚀剂层所暴露的部分,以图案化导体层;以及(d)判断所测量图案化的导体层的线宽是否在预设的线宽范围内,当所测量的线宽不在预设的线宽范围内时,将未被考虑到的因子对蚀刻结果的影响归纳后计算出一误差值,将误差值带入后重新计算出导体层对应在电路板上的各点的补偿数据,并重复步骤(b)‑(d),当所测量的线宽在预设的线宽范围内时,采用目前的导体层对应在电路板上的各点的补偿数据作为最佳的补偿数据。
地址 中国台湾桃园县