发明名称 | 一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法,通过1)、外植体获取及脱毒;2)、外植体诱导培养;3)、丛生芽培养;4)、生根培养;5)、炼苗;6)、大田培育,将实验室克隆技术与大棚训练方法技术结合繁殖吉赛拉砧木,解决了以往繁殖速度慢,且砧木品种差的问题,繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上,技术先进,节省时间,一年可繁育10——100万株生产苗木,有很高的推广价值和应用价值。 | ||
申请公布号 | CN103688852B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
申请号 | CN201310478199.4 | 申请日期 | 2013.10.15 |
申请人 | 陕西理工学院 | 发明人 | 白文钊;代贵华 |
分类号 | A01H4/00(2006.01)I | 主分类号 | A01H4/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法,其特征在于,包括如下步骤:1)、外植体获取及脱毒:外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖;2)、外植体诱导培养:外植体诱导培养基:用MS+6‑BA0.5mg/L+ZT0.4mg/L+IBA0.1mg/L,对“吉塞拉”外植体诱导培养30d,获得新生芽体;3)、丛生芽增殖培养:选择用MS为基本培养基,用4种激素6‑BA(6‑苄氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、KT(激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合,对“吉塞拉”外植体增殖培养25d;所述培养基的具体浓度为:MS+6‑BA0.5mg/L;ZT0.2mg/L;KT0.2mg/L;IBA0.1mg/L;4)、生根培养:采用:1/4MS+6‑BA0.3mg/L+IBA0.5mg/L培养基,黑暗处理15d进行生根培养,生根效果达到5根/株左右;5)、炼苗技术炼苗基质及配方选用草粪∶园土=1∶1配比,在大棚对炼苗环境全程控制7d;炼苗温度保持在18℃~26℃之间,炼苗湿度保持在80%,成活率达90%以上;6)、大田培育通过炼苗成活的幼苗再移入大田,在自然环境中培育2‑3月。 | ||
地址 | 723000 陕西省汉中市汉台区朝阳路1号 |