半导体激光元件

摘要

本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Al_x1Ga_(1‑x1))_0.51In_0.49P包覆层14及p型(AI_x1Ga_(1‑x1))_0.51In_0.49P包覆层(17)；n侧Al_x2Ga_(1‑x2)As导引层(15)及(p)侧Al_x2Ga_(1‑x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含Al_yGa_(1‑y)As_(1‑x3)P_x3层的量子井层(221)与包含Al_x4Ga_(1‑x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。

主权项

一种半导体激光元件，其包括：p型包覆层及n型包覆层；p侧导引层及n侧导引层，其等夹在上述p型包覆层及n型包覆层之间；以及活性层，其夹在上述p侧导引层及n侧导引层之间，且包含至少一个量子井层；且上述p型包覆层及n型包覆层分别包含(Al_x1Ga_(1－x1))_0.51In_0.49P层(0≦x1≦1)，上述p侧导引层及n侧导引层分别包含Al_x2Ga_(1－x2)As层(0≦x2≦1)，上述量子井层包含Al_yGa_(1－y)As_(1－x3)P_x3层(0<x3<1，0≦y≦0.3)，上述Al_yGa_(1－y)As_(1－x3)P_x3层具有P组成x3相对于As组成(1－x3)的比x3/(1－x3)满足1/9以上且1/4以下的组成，上述Al_x2Ga_(1－x2)As层具有满足x2≧0.4的组成。