| 发明名称 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板，包括：基板；活性层以及电容器第一电极，形成于所述基板上；栅绝缘膜，形成于所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上；栅电极以及电容器第二电极，形成于所述栅绝缘膜上，所述栅电极对应于所述活性层，所述电容器第二电极对应于所述电容器第一电极；层间绝缘膜，形成于所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上；以及像素电极、源电极和漏电极，形成于所述层间绝缘膜上，其中，所述源电极和漏电极中的至少一个形成于所述像素电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN102623460B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201110204575.1 | 申请日期 | 2011.07.13 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 柳春基 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板，包括：基板；活性层以及电容器第一电极，形成于所述基板上；栅绝缘膜，形成于所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上；栅电极以及电容器第二电极，形成于所述栅绝缘膜上，所述栅电极对应于所述活性层，所述电容器第二电极对应于所述电容器第一电极；焊盘，形成于所述栅绝缘膜上；层间绝缘膜，形成于所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上；以及像素电极、源电极和漏电极，形成于所述层间绝缘膜上，其中，所述源电极和漏电极中的至少一个形成于所述像素电极上，以及其中所述焊盘的厚度小于所述栅电极的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||