发明名称 |
基于存储条的非易失性多级存储器操作 |
摘要 |
基于存储条的非易失性多级存储器操作可包括写入数个下存储条,其包括将信息的数个下页编程于数个下存储条中的每一者中。可写入上存储条,其包括将所述信息的数个上页编程于所述上存储条中。数个上页中的每一者可对应于数个下页中的相应一者。可将对应于数个上页的数个下页中的相应各者中的每一者编程于数个下存储条中的一不同下存储条中。 |
申请公布号 |
CN103119569B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201180045520.9 |
申请日期 |
2011.08.29 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
凯文·R·布兰特 |
分类号 |
G06F12/00(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种用于基于存储条的非易失性多级存储器操作的方法,其包含:写入数个下存储条,其包括将信息的数个下页编程于所述数个下存储条中的每一者中;其中写入所述数个下存储条包括:按每下存储条编程写入信息的仅一个下页及奇偶校验信息的仅一页,且其中每下存储条的页的数目大于二;写入一上存储条,其包括将所述信息的数个上页编程于所述上存储条中,其中所述数个上页中的每一者对应于所述数个下页中的相应一者;及其中对应于所述数个上页的所述数个下页中的所述相应各者中的每一者被编程于所述数个下存储条中的一不同下存储条中。 |
地址 |
美国爱达荷州 |