| 发明名称 | 防止超厚金属上钝化层的破裂 | ||
| 摘要 | 器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。 | ||
| 申请公布号 | CN102683321B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210038062.2 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈郁文;谢宗翰;林坤佑;蔡冠智 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件包括：顶部金属层；在所述顶部金属层上方并且具有第一厚度的超厚金属UTM线；在所述顶部金属层上方和所述UTM线下面的通孔介电层，所述通孔介电层中包括金属通孔，所述金属通孔与所述顶部金属层中的金属线以及所述UTM线电连接，所述金属通孔的顶面与所述通孔介电层的顶面平齐；以及在所述UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层，其中所述第二厚度与所述第一厚度的比小于0.25，所述钝化层由介电材料形成。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||