半导体结构的形成方法，晶体管的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，一种晶体管的形成方法，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有氧化层；去除氧化层直至暴露出半导体衬底；在去除氧化层后，对所述半导体衬底进行热退火，且所述热退火的保护气体为惰性气体；经过热退火后，在所述半导体衬底表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层表面形成保护层。所形成的半导体结构能够抑制漏电流，提高后续形成的晶体管的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有氧化层；去除氧化层直至暴露出半导体衬底，使所述半导体衬底表面粗糙且在半导体衬底表面形成具有较高自由能的缺陷，所述缺陷构成载流子俘获中心；在去除氧化层后，对所述半导体衬底进行热退火，且所述热退火的保护气体为惰性气体，所述热退火工艺使半导体衬底表面的原子发生迁移并填充至半导体衬底表面的载流子俘获中心内；经过热退火后，在所述半导体衬底表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层表面形成保护层。