发明名称 |
苝四甲酰二亚胺衍生物、n-型半导体、n-型半导体的制造方法和电子装置 |
摘要 |
本发明提供可形成具有高载流子迁移率的n‑型半导体且溶解性优异的苝四甲酰二亚胺衍生物。一种特征在于用下述化学式(I)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的盐。前述化学式(I)中,R<sup>1</sup>~R<sup>6</sup>分别为氢原子、有机低聚硅氧烷、或任意取代基,至少一个为衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基,L<sup>1</sup>和L<sup>2</sup>分别为单键或连接基团,R<sup>7</sup>~R<sup>10</sup>分别为低级烷基或卤素,o、p、q和r分别为0~2的整数。<img file="DDA0000430219190000011.GIF" wi="1147" he="621" /> |
申请公布号 |
CN103596964B |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201280027502.2 |
申请日期 |
2012.04.04 |
申请人 |
国立大学法人香川大学 |
发明人 |
舟桥正浩;竹内望美 |
分类号 |
C07F7/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I |
主分类号 |
C07F7/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种苝四甲酰二亚胺化合物、或者它们的盐,其中,所述苝四甲酰二亚胺化合物用下述化学式(1)、(2)、(3)、(4)或(5)表示,<img file="FDA0000993498230000011.GIF" wi="1645" he="2415" /><img file="FDA0000993498230000021.GIF" wi="2020" he="1549" />所述化学式(1)、(2)、(3)、(4)和(5)中,m为0~20的整数,在所述化学式(1)、(2)、(3)、(4)或(5)中存在多个时可以相同也可以不同,n为0~30的整数,在所述化学式(1)、(2)、(3)、(4)或(5)中存在多个时可以相同也可以不同。 |
地址 |
日本香川县 |