发明名称 刻划半导体设备的晶片
摘要 本发明的实施例含有一种用于分离含有生长衬底和多个设备的晶片的方法,该多个设备形成于该生长衬底上并且布置在由至少一个划道分隔的多行中。该晶片含有该多个设备形成于其上的前侧,以及是生长衬底的表面的背侧。该方法含有在前侧上刻划与划道对齐的第一刻划线,在背侧上刻划与划道对齐的第二刻划线,以及在背侧上刻划与划道对齐的第三刻划线。
申请公布号 CN105917460A 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201480071654.1 申请日期 2014.10.13
申请人 皇家飞利浦有限公司 发明人 S.R.佩达达;F.L.魏;E.卡萨耶;R.夏马
分类号 H01L21/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 陈俊;景军平
主权项  一种用于分离包含生长衬底和多个设备的晶片的方法,所述多个设备形成于所述生长衬底上并且布置在由至少一个划道分隔的至少两行中,所述晶片包含所述多个设备形成于其上的前侧和包含所述生长衬底的表面的背侧,所述方法包含:在所述前侧上,刻划与来自所述至少一个划道的第一划道对齐的第一刻划线;在所述背侧上,刻划与所述第一划道对齐的第二刻划线;以及在所述背侧上,刻划与所述第一划道对齐的第三刻划线。
地址 荷兰艾恩德霍芬