多晶硅电阻器结构制造方法以及多晶硅电阻器结构

摘要

一种多晶硅电阻器结构制造方法以及多晶硅电阻器结构。在绝缘层形成控制栅极层和氮化硅层，刻蚀氮化硅层以在氮化硅层中形成凹槽；进行刻蚀从而在绝缘层中形成与凹槽的位置相对应的绝缘层凹槽，并在绝缘层凹槽两侧的剩余控制栅极上形成第一隔离物侧壁；在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第二隔离物层；对第二隔离物层进行刻蚀，仅留下绝缘层凹槽侧壁上的第二隔离物层以形成第二隔离物侧壁；在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁、第二隔离物侧壁及绝缘层凹槽上形成第一多晶硅层；刻蚀第一多晶硅层，至少去除剩余的氮化硅层表面的第一多晶硅层，以形成第一多晶硅结构；去除剩余的氮化硅层；在第一多晶硅结构上形成第二多晶硅结构。

主权项

一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：在绝缘层依次形成控制栅极层和氮化硅层，并且刻蚀氮化硅层以在氮化硅层中形成凹槽；在剩余的氮化硅层以及凹槽上形成第一隔离物层；对第一隔离物层、控制栅极层和绝缘层进行干法刻蚀，从而在绝缘层中形成与凹槽的位置相对应的绝缘层凹槽，并且在绝缘层凹槽四周的剩余控制栅极层上形成由于第一隔离物层剩余而形成的第一隔离物侧壁，并且去除除了第一隔离物侧壁之外的第一隔离物层；在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第二隔离物层；对第二隔离物层进行刻蚀，从而仅仅留下绝缘层凹槽侧壁上的第二隔离物层以形成第二隔离物侧壁，第二隔离物侧壁覆盖在控制栅极层侧壁上；在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁、第二隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第一多晶硅层；化学机械研磨法研磨第一多晶硅层，从而去除剩余的氮化硅层表面的第一多晶硅层，保留绝缘层凹槽上的第一多晶硅层，以形成第一多晶硅结构；去除剩余的氮化硅层，并干法刻蚀去除剩余氮化硅层下方的控制栅极层；在第一多晶硅结构上形成第二多晶硅结构。