一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法

摘要

本发明提供了一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层，其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程；对低介电常数薄膜进行紫外线固化；在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。

主权项

一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于包括依次执行：第一步骤，用于形成第一层金属层；第二步骤，用于在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；第三步骤，用于在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层，其中低介电常数薄膜布置在缓冲层上方，并且其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程；第四步骤，用于对低介电常数薄膜进行紫外线固化；第五步骤，用于在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀，其中，所述第三步骤包括：第一步，进行第一次液源反应物稳定过程，其中在不开启射频的情况下使得液源前驱物以第一流量流入反应腔；第二步，在致孔剂不流入反应腔体并开启射频的情况下，使得含有甲基键的硅源前驱体和氧气氦气参与反应，从而生长一层不含致孔剂的碳硅氧化物作为缓冲层；第三步，在不开启射频的情况下使得液源前驱物以流入与反应腔管道并列的转移管道，待流量稳定在设定的第二流量以后再从转移管道流入反应腔，其中第二流量大于第一流量；第四步，开启反应腔体中的射频，从而沉积含有致孔剂的低介电常数薄膜。